逆变器电路图和详细原理

逆变器原理如下：

逆变器是一种直流-交流的变压器
，实际上，它和转换器一样 ，都是一个电压倒置的过程
。变换器是把电网中的 AC电压转化皮启培成12 V的稳压 DC
，燃唯而逆变器则是把 AdaAH er的12 V DC变换成高频率的 AC，两者都使用了更常用的AH M技术。

相关总结：

逆变器是一种将低电压（12 V,24 V,48 V）转换成220 V的旁或交流电源 ，由于220 V交流电一般都被整流为直流电
，而逆变器则相反，故名 。

这是一个“移动”的年代 ，手机办公室
、手机通信、手机休闲 、娱乐
，在运动过程中，不仅要用到电池或者蓄电池提供的高压直流电源 ，还要用到220 V的交流电源
，这是生活中必不可少的
。

简单的逆变器电路图分析

这里介绍3.7v逆变器电路图的逆变器（见图）主要由MOS 场效应管3.7v逆变器电路图，普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS 场效应管和电源变压器的功率 ，免除3.7v逆变器电路图了烦琐的变压器绕制，适合电子爱好者业余制作中采用 。下面介绍该逆变器的工作原理及制作过程
。

电路图

工作原理

这里我们将详细介绍这个逆变器的工作原理。

方波信号发生器（见图3）

这里采用六反相器CD4069构成方波信号发生器 。电路中R1是补偿电阻
，用于改善由于电源电压的变化而引起的振荡频率不稳
。电路的振荡是通过电容C1充放电完成的。其振荡频率为f=1/2.2RC 。图示电路的最大频率为：fmax=1/2.2×3.3×103×2.2×10-6=62.6Hz;最小频率fmin=1/2.2×4.3×103×2.2×10-6=48.0Hz
。由于元件的误差，实际值会略有差异。其它多余的反相器 ，输入端接地避免影响其它电路 。

场效应管驱动电路

这里采用六反相器CD4069构成方波信号发生器。电路中R1是补偿电阻
，用于改善由于电源电压的变化而引起的振荡频率不稳
。电路的振荡是通过电容C1充放电完成的。其振荡频率为f=1/2.2RC 。图示电路的最大频率为：fmax=1/2.2×3.3×103×2.2×10-6=62.6Hz;最小频率fmin=1/2.2×4.3×103×2.2×10-6=48.0Hz
。由于元件的误差，实际值会略有差异。其它多余的反相器 ，输入端接地避免影响其它电路 。

场效应管驱动电路

由于方波信号发生器输出的振荡信号电压最大振幅为0~5V
，为充分驱动电源开关电路，这里用TR1
、TR2将振荡信号电压放大至0~12V
。如图4所示。

MOS场效应管电源开关电路 。

这是该装置的核心 ，在介绍该部分工作原理之前
，先简单解释一下MOS 场效应管的工作原理
。

图5

MOS 场效应管也被称为MOS FET， 既Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增强型两种 。本文使用的为增强型MOS 场效应管 ，其内部结构见图5
。它可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型
，PNP型也叫P沟道型 。由图可看出，对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上 ，同样对于P沟道的场效做亮应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流
。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制
，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗 ，同时这也是我们称之为场效应管的原因。

图6

为解释MOS 场效应管的工作原理
，我们先了解一下仅含有一个P—N结的二极管的工作过程 。如图6所示，我们知道在二极管加上正向电压（P端接正极 ，N端接负极）时
，二极管导通，其PN结有电流通过
。这是因为在P型半导体端为正电压时 ，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端
，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。同理 ，当二极管加上反向电压（P端接负极
，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压 ，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端
，电子不移动，其PN结没有电流通过 ，二极管截止 。

图7a                                                        册搏           图7b

对于场效应管（见图7）
，在栅极没有电压时，由前面分析可知 ，在源极与漏极之间不会有电流流过
，此时场效应管处与截止状态（图7a）
。当有一个正电压加在N沟道的MOS 场效应管栅极上时，由于电场的作用 ，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极
，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b） ，从而形成电流
，使源极和漏极之间导通。我们也可以想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁 ，该桥的大小由栅压的大小决定 。图8给出了P沟道的MOS 场效应管的工作过程，其工作原理类似这里不再重复
。

图8

下面简述一下用C-MOS场效应管（增强型MOS 场效应管）组成的应用电路的工作过程（见图9）。电州胡祥路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道 MOS场效应管组合在一起使用 。当输入端为低电平时
，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通
。当输入端为高电平时 ，N沟道MOS场效应管导通
，输出端与电源地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作 ，其相位输入端和输出端相反 。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响
，使得栅压在还没有到0V，通常在栅极电压小于1到2V时 ，MOS场效应管既被关断
。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此
，使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路 。

由以上分析我们可以画出原理图中MOS场效应管电路部分的工作过程（见图10）
。工作原理同前所述。这种低电压、大电流 、频率为50Hz的交变信号通过变压器的低压绕组时，会在变压器的高压侧感应出高压交流电压 ，完成直流到交流的转换 。这里需要注意的是
，在某些情况下，如振荡部分停止工作时 ，变压器的低压侧有时会有很大的电流通过，所以该电路的保险丝不能省略或短接
。

制作要点

电路板见图11。所用元器件可参考图12 。逆变器用的变压器采用次级为12V
、电流为10A、初级电压为220V的成品电源变压器
。P沟道MOS场效应管（2SJ471）最大漏极电流为30A
，在场效应管导通时，漏-源极间电阻为25毫欧。此时如果通过10A电流时会有2.5W的功率消耗 。N沟道MOS场效应管（2SK2956）最大漏极电流为50A ，场效应管导通时
，漏-源极间电阻为7毫欧，此时如果通过10A电流时消耗的功率为0.7W
。由此我们也可知在同样的工作电流情况下 ，2SJ471的发热量约为2SK2956的4倍。所以在考虑散热器时应注意这点 。图13展示本文介绍的逆变器场效应管在散热器（100mm×100mm×17mm）上的位置分布和接法。尽管场效应管工作于开关状态时发热量不会很大
，出于安全考虑这里选用的散热器稍偏大
。

逆变器的性能测试

测试电路见图14。这里测试用的输入电源采用内阻低 、放电电流大（一般大于100A）的12V汽车电瓶，可为电路提供充足的输入功率 。测试用负载为普通的电灯泡
。测试的方法是通过改变负载大小 ，并测量此时的输入电流
、电压以及输出电压。其测试结果见电压、电流曲线关系图（图15a） 。可以看出
，输出电压随负荷的增大而下降，灯泡的消耗功率随电压变化而改变
。我们也可以通过计算找出输出电压和功率的关系。但实际上由于电灯泡的电阻会随受加在两端电压变化而改变 ，并且输出电压 、电流也不是正弦波
，所以这种的计算只能看作是估算 。以负载为60W的电灯泡为例：

假设灯泡的电阻不随电压变化而改变
。因为R灯=V2/W=2102/60=735Ω，所以在电压为208V时 ，W=V2/R=2082/735=58.9W。由此可折算出电压和功率的关系 。通过测试，我们发现当输出功率约为100W时
，输入电流为10A
。此时输出电压为200V。

逆变器电路图

上图是一个简单逆变器电路图3.7v逆变器电路图，其原理如下3.7v逆变器电路图：

 C2是隔直电容3.7v逆变器电路图 ，可以保护电路不过载搜差
，R2是振教荡调节电阻，大小为1-2欧 ，L1
，L2是初级线圈，L3
、L4是自振荡线圈 ，L5是输出线圈 。

  电源接通
，电流通过R2限世弊皮流，流经L3、L4中间抽头 ，再经两头尾抽头到功率管基极导通功率管
，经L1 、L2初级线圈，产生一次初级电流 ，再经变压器耦合，在L5形成次级电流
，第一次振荡完成。在L1、L2形成电流同时，L3
、L4也通过变压器形成第二次感应电流 ，再次导通功率管
，这样这个自激振荡电路就这样振荡下去，直到断电或管子烧坏
。卜嫌

3.7v逆变器电路图的介绍就聊到这里吧 ，感谢你花时间阅读本站内容
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