d4148mos管参数

D4148MOS管是一和薯种N沟道MOS场效应管
，其参数如下：

1. 最大漏极-源极电压（VDS max）：30V

2. 最大栅极-源极电压（VAH max）：20V

3. 最大栅极功率耗散（PD max）：250mW

4. 最大漏极电流（ID max）：300mA

5. 典型的栅极截止电压（Vth）：-0.8V

6. 典型的漏极电阻（Rds on）：7.5Ω

7. 栅春棚纯极电容（Cg）：33pF

8. 输出电容（Coss）：18pF

这些参数仅扒咐供参考，实际应用时应根据具体的电路设计和使用条件进行合理的选择和调整。

场效应管5n60c技术参数

5N60C是N沟道MOS场培芦效应管 ，漏极电流为4、5a
，脉冲电流允许18A，D-S耐压600V 。功耗:33W ，工作温度范围:-55°C to +150°C
，封装类型:TO-220F，功率 ，Pd:33W
，闭激封装类配态带型:TO-220F，常用于开关电源中作开关管
。

MOS管和DCDC升压转换器的主要参数是···？

MOS管嘛也是

场效应管

的一种 ，分结型和绝缘栅型
，结型和绝缘栅型又各分为NMOS和PMOS，然后PMOS+NMOS=CMOS。P和N的原理相同 ，只是

电源

极性

相反 。

主要参数记住

以下

几点:Idss

:饱和漏源

电流

，是指结型或耗尽型

绝缘栅场效应管

中搭誉穗,

栅极

电压

UAH =0时的漏源电流Up

:夹断电压
，是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.

Ut

:开启电压，知卜是指增强型绝缘栅

场效

管中,使漏源间刚

导通

时的栅极电压

gM

:跨导 ，

此乃衡量场效应管放大能力的重要

参虚贺数

.

BVDS

:漏源

击穿电压


，是指栅源电压UAH 一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压

PDSM:最大

耗散功率

，也是一项

极限参数

,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率IDSM

:

最大漏源电流 ，是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流

DC/DC转换器是一种

开关型稳压电源


，一般分为四种:

(1)

极性反转式:其特点是

输出电压

的极性正好与

输入电压

相反
。特点是Vo=-VI，二者的绝对值相同。除此之外 ，还有输出固定负压 、可调负压两种 。

(2)

升压式:其特征是VOVI,

变换器

具有提升电源电压的作用
。

(3)

降压式:利用变换器来降低电源电压
，使VOVI

。

(4)

低压差

集成稳压器

 。这类集成稳压器的输入-输出压差低于0.5~0.6V，甚至在0.1V左右的压差下已能正常工作 ，能显示提高

稳压电源

的效率
。

MOS管70SL500A参数

1 极限参数:　

ID :最大漏源电流.是指场效应管正常工作时
，漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过 ID .此参数会随结温度的上升而有所减额.　

IDM :最大脉冲漏源电流.体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也凳镇有关系 ，此参数会随结温度的上升而有所减额.　

PD :最大耗散功率.是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时，场效应管实际功耗应小于 PDSM 并留有一定余量.此参数一般会随结温度的上升而有所减额.（此参数靠不住）

VAH :最大栅源电压.
，一般为：-20V~+20V

Tj :最大工作结温.通常为 150 ℃或 175 ℃ ，器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度 ，并留有一定裕量. （此参数靠不住）

TSTG :存储温度范围.　

2 静态参数　

V(BR)DSS :漏源击穿电压.是指栅源电压 VAH 为 0 时
，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于 V(BR)DSS . 它枣锋粗具有正温度特性.故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑. 加负压更好。

△V(BR)DSS/ △ Tj :漏源击穿电压的温度系数 ，一般为 0.1V/ ℃.

RDS(on) :在特定的 VAH (一般为 10V )
、结温及漏极电基槐流的条件下
， MOSFET

导通时漏源间的最大阻抗.它是一个非常重要的参数，决定了 MOSFET 导通时的消耗功率.此参数一般会随结温度的上升而有所增大（正温度特性）.

故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算.　

VAH (th) :开启电压(阀值电压).当外加栅极控制电压 VAH 超过 VAH (th) 时 ，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道.应用中
，常将漏极短接条件下 ID 等于 1 毫安时的栅极电压称为开启电压.此参数一般会随结温度的上升而有所降低.　

IDSS :饱和漏源电流，栅极电压 VAH =0 、 VDS 为一定值时的漏源电流.一般在微安级.　

IAH S :栅源驱动电流或反向电流.由于 MOSFET 输入阻抗很大 ，IAH S 一般在纳安级.　

 、3 动态参数　

gfs :跨导.是指漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比
，是栅源电压对漏极电流控制能力大小的量度. gfs 与 VAH 的转移关系图如下图所示.

求贴片N-MOS场效应管 SI2302BDS的参数 和工作原理

SI2302是三极管mos场效应管参数的一种，属激搭于增强模式场效掘铅唤应晶体判凯管

主要参数mos场效应管参数：

晶体管类型 ：N沟道MOSFET

最大功耗PD ： 1．25W

栅极门限电压VAH ： 2．5V（典型值）

漏源电压VDS ：20V（极限值） 20v

漏极电流ID：2．8A

通态电阻RDS（on）：0．145ohm（典型值）

栅极漏电流IAH S：±100nA

结温：55℃to＋150℃

替代型号：

封装：

SOT－23（TO－236）

手打不易 ，如有帮助请采纳，谢谢mos场效应管参数！！

根据客户要求的不同
，我司有针对mos场效应管参数产品多种技术处理方案，技术资料也有所不同 ，所以不能直接呈现
，有需求的客户请与联系我们洽淡13715099949/联系13715099949/13247610001，谢谢！