G(栅极),D(漏极)s(源及) ,要求栅极和源及之间电压大于某一特定值,漏极和源及才能导通
算一下几个值就好了,UAH =6V。UDS=8V 。
根据NMOS增强型场效应管(UAH th就说明了是增强型,电压UDUS说明是N沟道)的状态判断条件:纳谨
当UAH UAH th时 ,截止(关断区);
UDSUAH -UAH (th)时,可变电阻区(相当于三极管饱和区);
UDS=UAH -UAH (th)时,预夹断(恒流区与可变电阻区的临界点);
UDSUAH -UAH (th)时 ,恒流区(相当于三极管放大区);
你现在可以计算一下:UDS=8VUAH -UAH (th)=2V,所以明显是属于恒流区,此时对于每洞孝基个UAH ,都有一个iD与它对应,MOS管可视为电压UAH 控制的恒流源。
你可以参考:童慎悔诗白,《模拟电子技术基础》第四版 ,P46页。
通俗点手源说,就是用G极的控制电压来控制MOS管的导通,饱和 ,截止等状态。使得D极的输入电压,在S极的输出电雀漏压上体现毕岁态出不同的状态 。
MOS管三个极,分别是栅极(G)源极(S)和漏极(D)。
MOS器件是电压控制型器件,察氏搏用栅极电压来控败祥制源漏的导通情况。
MOS管和三极管截止区:
NMOS管的如果栅压小于阈值电压 ,MOS管相当于两个背靠背的二极管,不导通 。
NPN三极管也一样,如果偏压小于阈值电压 ,也相当于两个背靠背的二极管,不导通。
MOS管饱和区的介绍:
NMOS在漏极电压比较高时,会使沟道夹断 ,之核羡后即使电压升高,电流不会再升高,因此叫做饱和区。
NPN三极管在集电极电压比较高时 ,也会几乎全部收集到从发射极过来的电子,电压再升高也没有办法收集到更多,也是它的饱和区 。
关系简弊是S极电压可以无条件到D极 ,MOS管就失去了开关的作用。MOS管是指场效应晶体管,有G(gate栅极)/D(drain漏极)/S(source源拦猛族极)三个端口,分为PMOS管(P沟道知拿型)和NMOS(N沟道型)两种。
MOS管导通后的Vgs电压始终为做陆租该管的开启电压,和刚满足导通条件时比较 ,导通后随着源极S电位的升高,Vg电压也要升高,在漏极电流不变的的情况下Vgs是个常数 。
N沟道与P沟道是不一样的。如N沟道管 ,导通后Vgs与“偏置”电路有关,与其他无关。Vgs越大则导通电阻越小 。P沟道是相反的(在无“偏置 ”时,即正常时是导通的)。
mOS管注意:
1、为了安全使用MOS管 ,在线路的设计中不能超过管的耗散功率,最大漏源电压 、最大栅源电压和最大电流等参数的极悉逗限值。
2、各类型MOS管在使用时,都要严格按要求的偏置接入电路中 ,要遵守MOS管偏置的极性,如结型MOS管栅源漏之间是PN结。纯兆N沟道管栅极不能加正偏压,P沟道管栅极不能加负偏压 。
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