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mos管检测好坏视频_mos管怎么检测好坏

振邦微科技 2023-05-08 00:35:09 芯片常识 186 ℃ 2 评论

如何判断mos管的好坏?

一.红左 ,黑中、右无穷大黑左 ,红中 、右无穷大红中,黑右无穷大;黑中红右显示530(左右)。其实场效应管三极管很好判断:有字面朝上从左到右依次为:G 、D、S,有些管相反:S、D 、G 。我修显示器、主板、电源都是从上面的方法测绝对没问题 。你不信随便拆块板看一看 ,场效应管在电路图板的布局及应VMOS大功率场效应晶体管的检测。

二.1判别各电极与管型。用万用表R×100档,测量场效应晶体管任意两引脚之间的正 、反向电阻值 。其中一次测量中两引脚的电阻值为数百欧姆,这时两表笔所接的引脚为源极S和漏极D ,而另一引脚为栅极G。再用万用表R×10k档测量两引脚(掘薯扒漏极D与源极S)之间的正、反向电阻值。正常时,正向电阻值为2kΩ左右,反向电阻值大于500kΩ 。在测量反向电阻值时 ,红表笔所接引脚不动,黑表笔脱离所接引脚后,先与栅极G触碰一下 ,然后再去接原引脚,观察万用表读数的变化情况。若万用表读数由原来较大阻值变为0,则此红表笔所接的即是源极S ,黑表笔所接为漏极D。用黑表笔触发栅极G有效 ,说明该管为N沟道场效应管 。若万用表读数仍为较大值,则黑表笔接回原引脚不变,改用红表笔去触碰栅极G后再接回原引脚 ,若此时万用表读数由原来阻值较大变为0,则此时黑表笔接的为源极S,红表笔接的是漏极D。用表红笔触发栅极G有效 ,说明该管为P沟道场效应晶体管。

2.判别其好坏 。用万用表R×1k档或R×10k档,测量场效应管任意两脚之间的正、反向电阻值。正常时,除漏极与源极的正向电阻值较小外 ,其余各引脚之间(G与D 、G与S)的正、反向电阻值均应为无穷大。若测得某判昌两极之间的电阻值接近0Ω,则说明该管已击穿损坏 。另外,还可以用触发栅极(P沟道场效应手逗晶体管用红表笔触发 ,N沟道场效应管用黑表笔触发)的方法来判断场应管是否损坏 。若触发有效(触发栅极G后,D、S极之间的正 、反向电阻均变为0),则可确定该管性能良好。用吧三,1用10K档,内有15伏电池.可提供导通电压.2因为栅极等效于电容,与任何脚不通,不论N管或P管都很容易找出栅极来,否则是坏管.3利用表笔对栅源间正向或反向充电,可使漏源通或断,且由于栅极上电荷能保持,上述两步可分先后,不必同步,方便.但要放电时需短路管脚或反充.4大都源漏间有反并二极管,应注意,及帮助判断.5大都封庄为字面对自已时,左栅中漏右源。

请问使用万用表如何检测MOS管好坏

万用表检亩蠢困测MOS管好坏mos管检测好坏视频的简便方法

1.用黑表笔接在D极上mos管检测好坏视频 ,红表笔接在S极上 ,一般有一个500-600mos管检测好坏视频的阻值

2.在黑表笔不动的前提下,用红表笔点一下G极,然后再用红表笔测S极 ,就会出现导通

3.红表笔接D极,黑档槐表笔点一下G极后再接S极,测得的阻值和1测的是一样的则迅念说明MOS管工作正常

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如何用万用表检测MOS管是好是坏?

以N沟道MOS场效应管5N60C为例mos管检测好坏视频 ,来详细介绍一下具体的测量方法 。

1.N沟道MOS场效应管好坏的测量方法

2.用数字万用表二极管档正向测量5N60C的D-S两极。

测量5N60C好坏时mos管检测好坏视频,首先将万用表量程开关调至二极管档mos管检测好坏视频,将5N60C的G极悬空 ,用红黑表笔分别接触5N60C的D-S两极,若是好的管子,万用表显示为“OL ” ,即溢出(见上图)。

3.用数字万用表二极管档反向测量5N60C的D-S两极 。

然后调换红黑表笔,再去测量D-S两极,则万用表显示的读数为一个硅二极管的正向压降(见上图)。

若MOS场效应管内部D-S两极之间的寄生二极管击穿损坏 ,用二极管档测量时 ,万用表显示的读数接近于零。

4.用万用表的二极管档给5N60C栅源两极(G-S两极)之间的电容充电 。对于N沟道MOS场效应管充电时,红表笔应接管子的G极,黑表笔接管子的S极。

在测量完5N60C的D-S两极 ,并且确实是好的之后,然后用二极管档给MOS场效应管的栅源两极之间的电容充电。

由于MOS场效应管的简裂前输入电阻在GΩ级(GΩ读作吉欧,1GΩ=1000MΩ) ,数字万用表二极管档的开路测量电压约为2.8~3V,故用二极管档的测量电压给MOS场效应管的栅源两极之间的电容充电后,可以使MOS场效应管D-S两极之间的电阻变得很小 ,故用这个方法可以测量场效应管G-S两极之间是否损坏 。

5.5N60C的G-S两极间的电容充电后,用电阻档实测D-S两极之间的正向电阻为155.4Ω。

6.用万用表电阻档实测5N60C的D-S两极之间的反向电阻为67.2Ω。

上面为一个好的N沟道MOS场效应管的测量数据 。对于P沟道MOS场效应管的测量方法与上述测量一样,只是万用表表笔需要调换一下极性 。

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mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管 ,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,mos管检测好坏视频他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的 ,即使两端对调也不会影响器件的性能 。这样的器件被认为是对称的。

场效应管(FET) ,把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance, 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比 。市面上常有拦清的一般为N沟道和P沟道,详情参考右侧图片(N沟道耗尽型MOS管)。而P沟道常见的为低压mos管。

场效应管通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流 。事实上没有电流流过这个绝缘体 ,所以FET管的GATE电流非常小。

最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET) 。因为MOS管更小更省电,所以他们已经在很多应用场合取代了双极源春型晶体管。

mos管怎么测试好坏

测电阻法检测MOS管是用万用表测量MOS管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极 、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同MOS管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档 ,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管 ,芦薯其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大 ,可能是内部断极 。然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间 、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大 ,则陪御者说明管是正常的;若测得上述各拆神阻值太小或为通路 ,则说明管是坏的 。要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。

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