mos管是什么？

MOS管一般又叫场效应管mos管
，与二极管和三极管不衡肢同mos管，二极管只能通过正向电流 ，反向截止
，不能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流 ，MOS管是小电压控制电流的。

MOS管的输入电阻极大
，兆欧级的，容易驱动 ，但是价格比三极管要高
，一般适用于需要小电压控制咐差世大电流的情况，电磁炉里一般就是用的20A或者25a的场庆扰效应管 。

拓展资料mos管：

MOS电容的特性能被用来形成MOS管
。Gate ，电介质和backgate保持原样。在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域 。其中一个称为source
，另一个称为drain
。假设source 和backgate都接地，drain接正电压。

MOS管的工作原理

目前主板或显卡上使用的MOS管并不太多 ，一般有10个左右 。主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中
。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU
、AGP插槽、内存插槽附近。仔清其中
，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管 。一般来说 ，MOS管两个一组出现在主板上
。工作原理双极晶体管将输入端的小电流变化放大
，然后在输出端输出大的电流变化。双极晶体管的增益定义为输出电流与输入电流之比(β) 。另一种晶体管叫FET，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。它们是电流控制装置和电压控制装置
。FET的增益等于其跨导)gm ，跨导定义为输出电流的变化与输入电压的变化之比。FET的名字也来源于它的输入栅极(称为gate)
，它通过在绝缘层(氧化物SIO2)上投射电场来影响流经晶体管的电流 。实际上没有电念裤前流流过这个绝缘体(只是电容的作用)，所以FET的栅极电流很小(电容的电流损耗)
。最常见的FET在栅电极纯戚下使用一薄层二氧化硅作为绝缘体。这种晶体管被称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管 ，或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 。

求详解:MOS管
，三极管，功率管 ，开关管之间的联系与区别

开关管是MOS管和三极管的一种用途，即用于控制电路导通和关断
。

区别在于MOS管使用电压控制开关状态而三极管是用电流控制开关状态。MOS管和三极管也可以不用做开关管
，比如三极管经常工作于放大区用作电流放大器件，这是就不能算开关管 。

功率管是相对于信号管而言的
。如果器件是用于控制功率转换的那么就是功率管了 ，如果只是用于传递信号的那就是信号管了。

功率管和信号管没有严格的界限 。同一只MOS管既能当信号管
，也能当功率管，但是一般功率管的功率转换能力大于信号管
。

扩展资料：

mos管是金属 、氧化物
、半导体、场效应晶体管升笑锋 ，或者称是金属—绝缘体 、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的
，他升带们都是在P型backgate中形成的N型区 。在多数情况下，这个两个区是一样的 ，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的
。

三极管
，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管
、晶体三极管 ，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号
，也用作无触点开关 。

功率管是在放大电路中担任末级输出的管子
。

开关三极管的外形与普通三极管外形相同，它工作于截止区和饱和区 ，相当吵晌于电路的切断和导通。由于它具有完成断路和接通的作用，被广泛应用于各种开关电路中 。

参考资料：百度百科-mos管    百度百科-三极管   百度百科-功率管  百度百科-开关管

mos管是什么原理，起什么作用的

MOS管的原理：

它是利用VAH 来控制“扮凳感应电荷
”的多少 ，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况
，然后达到控制漏极电流的目的
。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子 ，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷
，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道 ，即使在VAH =0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时
，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变 ，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化 。

作用：

1、可应用于放大电路
。由于MOS管放大器的输入阻抗很高
，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

2 、很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换 。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换
。

3
、可以用作可变电阻。

4、可以方便地用作恒流源 。

5 、可以用作电子开关。

简介：

mos管 ，即在集成电路中绝缘性场效应管
。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体 。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区
。在多数情况下
，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的 。

结誉滑构特点：

MOS管的内部结构如下图所示;其导通时只有一种极性的载流子(多庆缺腊子)参与导电 ，是单极型晶体管
。导电机理与小功率MOS管相同
，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件 ，功率MOSFET大都采用垂直导电结构
，又称为VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。

n沟道mos管                 

p沟道mos管

其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层 ，因此具有很高的输入电阻
，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道 。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管
。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时 ，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

mos管的介绍就聊到这里吧
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