me15n10-g在升压电路中起什么做用？

ME15N10-G系列是一种CMOS升压开关稳压器15N10-G，它主要包括一参考电压源 ，振荡电路
，一个误差放大器，一个相位补9偿电路 ，15N10-G的AH M/ PFM切换控制电路。随着内置低导通电阻N沟道功率MOS
，产品是适用于应用程序需要高效率和高输出电流 。 “ME15N10-G系列交换机15N10-G的PFM控制电路15N10-G的占空比为15％，到下的AH M/ PFM切换控制电路轻负载 ，防止效率下降IC工作电流
。

特点：

低电压操作:启动是保证从0.9 V(IOUT = 1 mA)

负载比:内置开关控制电路AH M /PFM 15 - 78%。

振荡器频率:1.0 MHz

输出电压范围:1.5 V ~ 6.5 V

输出电压精度:±2%

软启动功能:2 mS 。

应用:

MP3播放器 、数码音频播放器

数码相机
、GPS、无线收发器

便携式设备

基于AH6923 开关升压稳压电源的原理框图如图1所示，直流电源输出24V的电压分别送给基于AH6923 设计的两个开关升压电源模块
，两个开关升压电源分别将送来的24V的直流电压升至36V的输出电压共同对同一载供电
。为15N10-G了提高电源的性能，特别是保证电源有较大的输出功率采用两个升压模块并联对负载供电。两个电源模块对负载供电的电流比例设定为1：1 ，供电电流的比例可通过分别对升压模块的输出电压微调实现 。

　AH6923 可调升降压电路详解

图1基于AH6970 升压开关稳压电源原理框图

3 、芯片X6L009介绍

芯片AH6970 的内部结构图如图2所示。芯片xL6009的引脚图如图3所示
。其中1脚是接地端;2脚是使能端（高电平输出电压
，低电平不能输出电压）;3脚是开关信号输出端;4脚是输入端;5脚是反馈端。

AH6923 可调升降压电路详解

图2AH6970 的内部结构

AH6923 可调升降压电路详解

图3xL6009的引脚图

芯片x16009调节器是一宽输入范围，电流模式 ，能够产生正或负输出电压的直流/直流转换器 。它可以被配置为一升压反激式SEPIC或反相转换器
。

芯片x16009由功率N沟道MosFET管和固定频率振荡器构成
，电流模式结构在宽范围输入和输出电压下稳定工作。芯片x16009调节器的特性：

（1）输入电压范围v5至32v;

（2）利用一只反馈引脚可将输出电压设置为正也可设置为负;

（3）电流模式控制提供了优良的瞬态响应;

（4）1.2v5参考电压可调模式;

（5）固定400kHz的开关频率;

（6）最大4A开关电流;

（7）sw引脚实现过电压保护;

（8）效率高达到94度 。

4
、开关升压电源电路工作原理

基于芯片AH6970 构成的开关升压电源电路如图4所示
。将输入直流电压（VI）给芯片的4脚和2脚，此时2脚处于高电平 ，使3脚可以输出
，同时通过5脚的反馈电压实现对输出电压大小的调节。其中在IC1模块中输出电压U0=1.25*（1十Rl/时，在IC2的模块中输出电压V0=1.25*（1十R3/R4） 。其中Rl和R3都为50K的可调电位器 ，通过调节Rl和R3
，一方面控制输出电压，使电压输出恒定36伏特左右 ，另一方面还可实现两个升压模块对负载供电电流的比例为1：1
。

AH6923 可调升降压电路详解

图4AH6970 开关升压并联供电系统

5、电路性能测试

5.1 、测试开关升压电源所需仪器（如表1所示）

表1开关升压电源测试所用仪器

AH6970 开关升压并联供电系统

5.2、开关升压电源空载输出电压的测试

开关升压电源空载时输出电压测试情况如表2所示。从表1可以看出：开关升压电源输出电压为36伏特，输入电压范围较大
，输入电压从3伏特开始电源就能输出稳定的36伏特的电压 。

AH6970 开关升压并联供电系统

5.3
、开关升压电源负载调整率测试

从表3可知：开关升压电源负载调整率为0.28%，输出电流I0从0.2A到2A的变化过程中 ，输出电压值几乎恒定不变
，稳压特性非常好，带负载的能力很强
。

表3开关升压电源负载调整率测试情况

AH6970 开关升压并联供电系统

6、结论

该开关升压电源对输入电压的调整能力强 ，输出功率较大
，带负载能力强，效率较高 ，输出电压可调。该电源性能优良
，有一定的实用价值 。

me15n10-g在显示器上的作用?

作用最主要15N10-G的就是15N10-G你让你的显示器有一个更稳定的一个运行状态来的15N10-G了。

ME15N10-G三极管用什么替代

场效应管
。

场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。

在只允许从信号源取较少电流的情况下 ，应选用场效应管；而在信号电压较低
，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管 。

场效应管是利用多数载流子导电 ，所以称之为单极型器件，而晶体管是既有多数载流子
，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件
。

有些场效应管的源极和漏极可以互换使用 ，栅压也可正可负
，灵活性比三极管好。

场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上 ，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用 。

扩展资料：

主要参数：

1 、直流参数

饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅
、源极之间的电压等于零
，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流
。

夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时 ，使ID减小到一个微小的电流时所需的UAH。

开启电压UT它可定义为：当UDS一定时
，使ID到达某一个数值时所需的UAH 。

2 、交流参数

交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数，输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间 ，而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内
，特殊的可达100mS，甚至更高
。

低频跨导gm它是描述栅
、源电压对漏极电流的控制作用。

极间电容场效应管三个电极之间的电容 ，它的值越小表示管子的性能越好 。

参考资料来源：百度百科-场效应管

me15n_10是什么管
，

场效应管：型号：ME15N10 种类：结型(JFET)

沟道类型：N沟道 导电方式：耗尽型 用途：DUAL/配对管

封装外形：CER-DIP/陶瓷直插 材料：N-FET硅N沟道

ME15N10-G,原装Matsuki松木mos管

单N沟道，15a ，100V
， RDS(ON)≦100mΩ

深圳振邦微科技免费提供15N10-G最新方案，免费提供15N10-G样品、测试板及方案开发 ，申请样品请点联系13715099949/联系13715099949/13247610001
。